深圳市福田区旺盛宇电子经营部
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SI4435DDY-T1-GE3 mos管SOP-8封装

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si4435ddy-t1-ge3图文及资料仅供参考,以实际pdf为准
制造商:vishay产品种类:mosfet晶体管极性:p-channel汲极/源极击穿电压:30 v闸/源击穿电压:+/- 20 v漏极连续电流:8.1 a电阻汲极/源极 rds(导通):24 mohms配置:single quad drain triple sourceZui大工作温度:+ 150 c安装风格:smd/smt封装 / 箱体:soic-8 narrow封装:reel下降时间:12 ns, 16 nsZui小工作温度:- 55 c功率耗散:2500 mw上升时间:8 ns, 35 ns工厂包装数量:2500典型关闭延迟时间:45 ns, 40 ns零件号别名:si4435ddy-ge3嘉禾dz0.8a

本产品的品牌是Vishay/威世通,型号是SI4435DDY-T1-GE3,种类是绝缘栅(MOSFET),沟道类型是MOSFETP通道,金属氧化物,导电方式是增强型,用途是VA/场输出级,封装外形是SMD(SO)/表面封装,材料是MES金属半导体

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